题目：石墨烯为碳源制备SiC纳米材料的研究

报告人：唐侠侠

主持人：朱鹏飞

时间、地点：2014年12月14日实训楼2105室

学科、专业：SiC纳米材料，材料物理与化学

报告主要内容：SiC属于第三代宽带隙半导体材料，具有热稳定性高、化学稳定性好、临界击穿电场高、电子饱和迁移率大等优良特性。相比于SiC体材料，其纳米材料不仅有拥有其体材料的本征特性，而且还兼具纳米材料的诸多优异性能，因而SiC纳米材料常常被应用于功能材料和电子器件中。SiC纳米材料的制备方法有很多，如气固法、熔盐法、化学气相沉积法、激光烧蚀法等。在这些制备方法中气固法最简单并且成本低廉，而熔盐法的特点是降低反应温度，缩短反应时间，并且容易控制物体的形状和尺寸。近年来，有很多关于SiC分解制备石墨烯和以石墨烯为碳源制备SiC纳米材料的报道。目前以石墨烯为碳源所制备出的SiC晶型单一，并且实验所需温度偏高，还需要催化剂的参与。针对上述情况，本实验利用气固法和熔盐法在无催化剂参与的情况下制备出不同晶型的SiC纳米材料，并且探索了不同条件对实验的影响。

欢迎各位老师和同学参加，特此公告！

材料工程学院

2015年12月9日